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中国芯高歌猛进,全球领先红外探测器芯片,攻垮欧美封锁高墙
前不久,中国大陆半导体行业传出喜讯,中芯国际14纳米制程工艺已经正式进入批量生产阶段。要知道这不仅意味着中芯国际掌握了成熟的14纳米制程工艺技术,它也宣告全球中国大陆正式拥有了14纳米芯片制造厂家。更值得国人振奋的是,当前中芯国际也已经在12纳米制程工艺上,开始进行客户导入工作。
虽然三星和台积电已经在7纳米,5纳米甚至3纳米制程工艺上取得突破性进展,但如果从现实考量,高制程工艺的发展离不开市场支持,而以现在的市场需求来看,绝大多数仍处在28纳米,这自然就为中芯国际实现超越空出了时间。
中芯国际联席CEO梁孟松,是台积电的前高管,他在65岁时回到内地发展,凭借自己丰富的行业经验和过人才干,仅用298天就助力中芯国际攻克了14纳米制程工艺技术难关,这对中国半导体产业发展,具有里程碑式的重要意义。
而中芯国际在12纳米制程工艺核心技术上的突破,则意味着中芯国际和台积电的技术差距已经被缩小到2年以内。照当前的发展速度来看,有梁孟松博士坐镇,再加上我国对人才发展的重视,中国半导体芯片工艺问鼎国际最高峰也是指日可待。
此外,红外作为国防的核心科技,欧美长期对中国实施着技术封锁。最早的非制冷红外技术是美国推出的,美国、法国、以色列是三个掌握非制冷核心技术的国家。但在今天,中国已经成功研制出全球最先进的10微米,1280×1024非制冷红外探测器芯片,而西方同类技术还处在12微米水平。中国芯引领全球,势在必行。