中国芯高歌猛进，全球领先红外探测器芯片，攻垮欧美封锁高墙

前不久，中国大陆半导体行业传出喜讯，中芯国际14纳米制程工艺已经正式进入批量生产阶段。要知道这不仅意味着中芯国际掌握了成熟的14纳米制程工艺技术，它也宣告全球中国大陆正式拥有了14纳米芯片制造厂家。更值得国人振奋的是，当前中芯国际也已经在12纳米制程工艺上，开始进行客户导入工作。

虽然三星和台积电已经在7纳米，5纳米甚至3纳米制程工艺上取得突破性进展，但如果从现实考量，高制程工艺的发展离不开市场支持，而以现在的市场需求来看，绝大多数仍处在28纳米，这自然就为中芯国际实现超越空出了时间。

中芯国际联席CEO梁孟松，是台积电的前高管，他在65岁时回到内地发展，凭借自己丰富的行业经验和过人才干，仅用298天就助力中芯国际攻克了14纳米制程工艺技术难关，这对中国半导体产业发展，具有里程碑式的重要意义。

而中芯国际在12纳米制程工艺核心技术上的突破，则意味着中芯国际和台积电的技术差距已经被缩小到2年以内。照当前的发展速度来看，有梁孟松博士坐镇，再加上我国对人才发展的重视，中国半导体芯片工艺问鼎国际最高峰也是指日可待。

此外，红外作为国防的核心科技，欧美长期对中国实施着技术封锁。最早的非制冷红外技术是美国推出的，美国、法国、以色列是三个掌握非制冷核心技术的国家。但在今天，中国已经成功研制出全球最先进的10微米，1280×1024非制冷红外探测器芯片，而西方同类技术还处在12微米水平。中国芯引领全球，势在必行。